Statt nur einzelne Speicherchips nebeneinander zu platzieren, stapelt Samsung vier planare 4-GBit-Dice aufeinander. Durch Silizium-Durchkontaktierung verbunden, sind so deutlich höhere Kapazitäten pro Speichermodul möglich als bisher - Hynix erreicht sogar 128 GByte.

Samsung verbaut 36 kleine Stapel, was zwar in 72 GByte resultiert, davon sind aber 8 GByte - also vier Stacks - durch die ECC-Fehlerkorrektur belegt. Zur Geschwindigkeit der neuen DDR4-Module hat sich Samsung bisher nicht geäußert, denkbar wäre DDR4-2133 oder DDR4-2400.